核心要点

　　人工智能普及推高存储芯片需求 ，在 NAND 闪存赛道
，一家中国企业跻身全球第三 。 在规模更大的 DRAM 内存芯片市场，长江存储位列全球第四
。

　　市场研究机构 Counterpoint（观博特）的数据显示 ，长江存储科技有限责任公司（YMTC）正快速抢占这一核心芯片领域的市场份额。

　　该机构周三发布的数据显示
，今年第二季度，长江存储 NAND 闪存芯片出货量位居全球第三 ，仅次于韩国三星 、SK 海力士
，超越美国竞品美光以及日本铠侠 。

　　上述排名统计口径为 NAND 闪存市场
。NAND 业务约占美光营收的四分之一。NAND 芯片断电后仍可保存数据，但读写速度低于 DRAM 内存；DRAM 运行速度更快
、成本也高得多 ，贡献美光约四分之三的营收 。

　　报告称，长江存储以 14% 的市场份额拿下第三名
。Counterpoint 研究总监黄敏硕（MS Hwang）表示
，一年前长江存储曾微弱领先铠侠，但随后数月再度被对方反超。

　　“预计 2027 至 2028 年长江存储将进一步拉开差距 。从这个角度来看 ，本季度跻身全球第三
，将深刻改变行业竞争格局。” 黄敏硕说道
。 他表示，存储厂商想要筹措资金、投入资本开支支撑长期发展 ，至少需要拿下 15% 的市场份额。

　　继专注 DRAM 赛道的中国存储企业长鑫存储上月完成重磅上市之后
，长江存储正筹备在中国大陆登陆资本市场 。

　　Counterpoint 本月早些时候另一份报告显示，第二季度长鑫存储占据全球 DRAM 市场 7% 份额 ，排名第四
，位列美光 、SK 海力士与龙头三星之后
。

　　Counterpoint 数据显示，今年一季度 DRAM 与 NAND 闪存市场销售额均创下新高 ，规模分别接近 1000 亿美元
、460 亿美元。

　　该调研机构同时指出
，尽管长江存储出货量实现增长，但NAND 芯片营收规模依旧不及美光与铠侠 。目前长江存储产品更多面向消费级市场 ，而非数据中心；机构预测，到 2026 年底
，数据中心需求将消化全球半数 NAND 闪存产能
。

　　韩国媒体本周报道，为扩大 NAND 产能 ，SK 海力士时隔四年重启中国沿海城市大连工厂的投资。截至发稿
，SK 海力士尚未回应置评请求 。